技术编号:12129299
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置的制造方法[相关申请]本申请享有以日本专利申请2015-179329号(申请日:2015年9月11日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。技术领域本发明的实施方式涉及一种半导体装置的制造方法。背景技术作为兼顾高耐压及低导通电阻的电力控制用半导体装置,存在如下纵型MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,金属氧化物半导体场效应晶体管):具备将p型(或n型)半导体层嵌入至n型(或p型)半导体层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。