技术编号：12129301
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种超结MOS管的制造方法。背景技术传统的MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应管)的耐压和导通电阻是一组平衡，当耐压要求较高时，需要衬底的电阻率更低，但是较低的电阻率会导致较高的导通电阻。为了改善此平衡，可以使用超结型结构，使得在提高耐压的同时降低导通电阻。超结型结构是由p型掺杂的柱状区域和n型掺杂的柱状区域组成，当p型掺杂区域的电荷数量同n型掺杂区域的电荷数量相当，达到平衡时，超结效果最佳...
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