技术编号:12129417
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置。背景技术以往,已知有将IGBT等功率半导体元件收纳于树脂壳体而成的半导体装置(例如,参照专利文献1)。专利文献1:日本特开平10-270608号公报发明内容技术问题为了使半导体装置高耐压化,优选扩展外部端子与其它金属部分之间的爬电距离和空间距离。技术方案本发明的一个形态的半导体装置具备半导体元件;壳体部,其收纳半导体元件;以及外部端子,其设置于壳体部的正面。在壳体部的正面形成有从正面突出的壁部。另外,在壳体部的正面设有被壁部包围的区域,且相对于正面凹陷的凹部。另外,外部端子...
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