技术编号:12129509
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体存储装置[相关申请]本申请享有以美国临时专利申请62/216,029号(申请日:2015年9月9日)及美国专利申请15/045,386号(申请日:2016年2月17日)为基础申请的优先权。本申请通过参照这些基础申请而包含基础申请的全部内容。技术领域实施方式涉及一种半导体存储装置。背景技术提出了一种三维构造的存储器件,该存储器件中,在积层体形成有存储孔,且在该存储孔的侧壁设置有经由电荷累积层而成为通道的硅体,所述积层体是隔着绝缘层而积层多个存储单元中作为控制栅极发挥功能的电极层所形成。在这种...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。