技术编号:12129611
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置相关申请本申请享有以日本专利申请2015-180504号(申请日:2015年9月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。技术领域本发明的实施方式涉及一种半导体装置。背景技术作为新一代半导体装置用的材料,期待SiC(碳化硅)。SiC具有与Si(硅)相比带隙为3倍、破坏电场强度为约10倍、热导率为约3倍的优异物性。如果活用该特性,可实现低损耗且能进行高温动作的半导体装置。作为使用SiC的MOSFET(MetalOxideSemiconductorFie...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。