技术编号:12129664
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。实施方式涉及光电转换元件、太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统。本申请基于2015年9月15日提出的日本专利申请第2015-182338号主张优先权。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。背景技术在开展使用半导体薄膜作为光吸收层的化合物光电转换元件的开发,其中将具有黄铜矿结构的p型半导体层作为光吸收层的薄膜光电转换元件因显示高的转换效率已经实用化。具体地讲,在将由Cu-In-Ga-Se构成的Cu(In、Ga)Se2作为光吸收层的薄膜光电转换元件中,报告了转换效率为21.7%。一般来讲...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。