技术编号:12129686
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种太阳电池制造工艺,尤其是涉及一种太阳电池正负极隔离工艺。背景技术在太阳电池生产流程中,扩散成结后硅片边缘和背面部分区域也会形成扩散层,周边扩散层会导致电池的正负极之间形成短路回路,因此生产中必须将周边的短路环去除。目前常用的去除方法为化学腐蚀或等离子体刻蚀。中国专利CN104143591A公开了利用四甲基氢氧化铵溶液的太阳能电池背面抛光工艺,其包括如下步骤:a、提供所需的晶硅电池片,所述晶硅电池片的正面具有阻挡保护层;b、将上述晶硅电池片的背面放置浸泡在四甲基氢氧化铵溶液中,以对晶...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。