技术编号:12129733
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体发光领域,尤其涉及一种倒装LED芯片电极及其制备方法。背景技术倒装LED芯片的多量子阶发光层位于P型半导体和N型半导体之间,芯片有源层发出的光有一部分会从芯片的底部射出,但是芯片的下面是焊接面和不透明的基板,使得这一部分光不能被有效利用,为了有效的利用这一部分光,通常需要在P型半导体的下面设置一层反射层,反射层的材料一般为金属Ag或金属Al。将Ag或Al作为反射层时,由于金属Ag和Al的功函数都比较低,无法与高功函数的P-GaN形成良好的欧姆接触,所以通常需要在反射层上面再设置一...
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