技术编号:12129750
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制备技术领域,尤其是涉及一种LED芯片的图形化基板结构及其制备方法。背景技术LED是一种在p-n结两端施以适当的正向偏压时发出红外、可见和紫外的半导体发光器件。继第一代硅(Si)、锗(Ge)半导体和第二代砷化镓(GaAs)半导体之后,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和金刚石为代表的第三代半导体材料拥有禁带宽度大、电子饱和速率高、击穿电场高、导热性好(热导率和Si相当,比GaAs高三倍)、化合稳定性优良等特性,因此采用第三代半导体材料制备的LED具有节能、环保、便携、寿命长、波...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。