技术编号:12130842
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电子器件领域,特别涉及一种叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法。背景技术光纤通信系统的容量随着人类对信息容量需求的快速增加呈指数形态迅猛增长,从而将高可靠、低成本以及低损耗光子集成(photonicsintegratedcircuits)技术提上了日程。单片集成多波长光子集成发射芯片是实现光子集成的重要手段,它包含多种功能器件:光电探测器(PD)、分布式反馈激光器(DFB)、电吸收调制器(EAM)、半导体光放大器(SOA)、无源波导及无源合波器件如多模干涉耦合器(MMI)、阵...
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