技术编号：12140523
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及碳化硅半导体装置的制造方法和碳化硅半导体装置，更具体地说，涉及减少形成在碳化硅基板上的碳化硅外延膜的缺陷数量的方法。背景技术现有的功率半导体装置形成在硅基板上，但对于硅材料而言，在物理性能方面接近性能极限，基板耐压高、电力损耗低、能够进行高温工作和高频工作的碳化硅(SiC)半导体装置正备受瞩目。对SiC半导体装置而言，通常有将低电阻的SiC基板作为基底，在其上形成SiC外延膜，以离子方式注入杂质来改善器件结构的方法。在SiC中，由于Si与C结合时的周期结构的不同，因此具有存在大量2H、...
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