技术编号：12142463
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。电荷存储铁电存储器混合体和擦除方案背景技术铁电场效应晶体管(FeFET)已经被预想并且仍然被作为超低功率非易失性存储器件来研究。然而，迄今为止最突出的非易失性晶体管架构仍然由作为基于电荷存储(CS)的晶体管的子组的FLASH器件代表。在这点上，基于CS的晶体管和FLASH器件可以被认为是相同“类型”的器件。当与这些FLASH器件相比时，FeFET仅需要一小部分写电压，并且可以在纳秒的方案下切换。写入操作可以意指分别将存储器单元编程为二进制“0”或“关闭”状态，或者将存储器单元编程(擦除)到二进制...
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