技术编号：12142657
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及：用于利用涂布法形成金属氧化物半导体层的组合物、由其得到的金属氧化物半导体层及其制造方法、及具有该金属氧化物半导体层的场效应晶体管及半导体设备。背景技术由包含硝酸铟的组合物形成透明导电膜的技术已被公开(参照专利文献1)。另外，由包含硝酸铟的组合物形成金属氧化物半导体层的技术已被公开(参照专利文献2)。透明导电膜和金属氧化物半导体层均具有导电性，但所要求的特性差异很大。在金属氧化物半导体层的情况下，重要的特性是迁移率，另一方面，在透明导电膜的情况下，电导率成为重要的特性。电导率是迁移率与...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。