技术编号:12148395
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于局部轮廓控制的化学机械抛光(CMP)平台相关申请本申请是于2014年02月14日提交的美国申请第13/372,872号的部分继续案。本申请将美国申请的全部内容结合于此作为参考。技术领域本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域,更具体地,涉及CMP平台和方法。背景技术在集成电路(IC)的制造期间,执行半导体制造工艺的多步骤序列以逐渐地在半导体衬底上形成电路。一种这样的半导体制造工艺是化学机械抛光(CMP)。CMP是用于使用化学和机械力的组合平滑或平坦化表面的工艺。其中,CMP有利地允许更精确地形...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。