技术编号:12157348
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具体本发明属于光电材料领域,具体涉及一种超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法。背景技术硒化镉(CdSe)晶体是一种II-VI族宽禁带化合物半导体材料,由于其优秀的物理化学性质,在半导体发光器件、中远红外非线性光学器件和室温核辐射探测器件等方面具有重要的应用前景。硒化镉的主要技术应用均依赖于硒化镉单晶的生长。合成或制备高纯度硒化镉多晶粉体原料是生长高质量硒化镉单晶的一个重要前提。由于硒化镉单晶体的生长对杂质十分敏感,目前常用的硒化镉单晶的制备方法包括熔体法、高温溶液法、固相再结晶法和气相生长等方法均需...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。