技术编号:12159545
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于碳化硅陶瓷烧结技术领域,具体涉及一种多步反应烧结法制备低残硅的碳化硅陶瓷材料的方法。背景技术碳化硅陶瓷具有高强度、高弹性模量和高耐热耐腐蚀性,可在高温及极端环境下发挥重要作用,反应烧结制备碳化硅陶瓷具有低温和净尺寸的优势。目前用于制备碳化硅陶瓷的方法主要有重结晶法、反应烧结法、液相烧结法、放电等离子烧结、热压和热等静压烧结法等。在这些制备方法中,重结晶法的纯度最高,耐热冲击,热化学性能稳定,但得到的重结晶碳化硅的密度比较低,大约只有2.5g/cm3,主要用作高温构件及柴油机微粒过滤器材...
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