技术编号：12159905
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种支撑基质的基座并涉及一种设置有基座的基质加工设备。背景技术US6469283B1公开了一种用于向具有多个区域的基质支撑台的其中一个区域施加100％的电力而向其它区域施加50％的电力的装置。在一些半导体或液晶制造加工中，当加工基质时有意地使基质的温度不一致。例如，在以下情况下，在使基质的温度不一致的同时在基质上进行薄膜成形，因此使得形成在基质上的薄膜的膜厚不一致，或者使薄膜质量不一致。从实现这样的加工的观点，优选在基质中的某些不同位置之间创建明确的温度差。虽然US6469283B1中...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。