技术编号：12159942
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及用于互连的结构和方法。背景技术在半导体技术中，可以使用光刻工艺在衬底上限定集成电路图案。利用双镶嵌工艺以形成包括垂直的互连通孔/接触件和水平的互连金属线的多层铜互连件。在双镶嵌工艺期间，采用插塞填充材料以填充入通孔(或接触件)中并且然后，回抛光该材料。但是，通孔(或接触件)由不同的光刻工艺限定并且可以造成下面的金属线和通孔之间的未对准。特别地，当半导体技术进一步向着具有较小部件尺寸(诸如，20nm、16nm或更小)的先进技术节点发展时，未对准的容许度较小并且可以造成短路、开口或其...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。