技术编号:12160142
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种存储元件及其制造方法,且特别是有关于一种具有支撑结构的存储元件及其制造方法。背景技术随着科技日新月异,电子元件的进步增加了对更大储存能力的需要。为了满足高储存密度(HighStorageDensity)的需求,存储元件尺寸变得更小而且集成度更高。因此,存储元件的型态已从平面型栅极(PlanarGate)结构的二维存储元件(2DMemoryDevice)发展到垂直堆栈栅极(VerticalStackedGate)结构的三维存储元件(3DMemoryDevice)。随着三维存储元件...
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