技术编号：12175173
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于半导体集成电路等的微细加工的半色调相移光掩模坯和半色调相移光掩模。背景技术随着光掩模技术向进一步小型化发展，图案特征宽度变得比曝光波长小。目前采用分辨率提高技术(RET)例如光学邻近校正(OPC)、变形照明、浸没式光刻、相移法和双重曝光光刻。特别地，相移法迄今为止已采用了具有约6％的透射率的半色调相移膜。为了通过光刻形成较窄宽度的图案，例如形成具有50nm以下的半间距的图案，需要具有较高透射率的半色调相移膜以获得较高的对比度。具体地，需要具有约180°的相移和9％-40％的透射率的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。