技术编号：12177470
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及器件仿真技术领域，特别是涉及一种结型场效应晶体管的仿真模型及其应用方法。背景技术结型场效应晶体管(JunctionField-EffectTransistor，JFET)广泛应用于各类模拟电路的设计中，而电路设计中对器件仿真模型的精度要求也越来越高，Synopsys公司和Cadence公司的仿真软件提供的JFET模型已不能满足仿真精度要求。发明内容基于此，有必要提供一种仿真精度较高的结型场效应晶体管的仿真模型。一种结型场效应晶体管的仿真模型，包括：核心场效应晶体管模型，其电流电压特性采...
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