技术编号：12180090
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，特别涉及粒子辐照设备、束改性装置和含结终端延伸区的半导体器件。背景技术在功率半导体器件中，施加在前侧处的第一负载电极与半导体管芯背面上的第二负载电极之间的阻断电压沿着主pn结形成耗尽区。由于沿着侧向外表面半导体管芯的阻断能力低，所以主pn结通常被设计成使得耗尽区从中心掺杂区向侧向方向延伸，并且使得侧向外表面保持没有电场。因此，第一负载电极与第二负载电极之间的电场的横向分量和纵向分量可以沿着阻断主pn结的弯曲段叠加。掺杂剂浓度逐渐降低的侧向结终端延伸部使中心掺杂区沿着半导体管...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。