技术编号：12180123

提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明关于半导体器具的蚀刻模型化(etchmodeling)。本发明特别是应用于在半导体器具中形成通孔。背景技术微影制造方法和光学接近校正(OPC)轮廓无法准确地预测金属层(Mx)的硬式掩膜轮廓。微影制造方法和OPC轮廓也无法准确地预测通孔层(Vx)的介电蚀刻。因此，很困难准确地预测Mx+1和Vx层(例如，V0、M1、V1、M2、V2、和M3)之间的重迭，特别是对于在先沟槽再通孔(trenchfirstvialast)程序中具有自我对准通孔(selfalignedvia)的后段制造方法(back...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。

详细技术文档下载地址↓↓

提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

该分类下的技术专家--如需求助专家，请联系客服

• 贺老师：氮化物陶瓷、光功能晶体材料及燃烧合成制备科学及工程应用
• 杨老师：工程电磁场与磁技术，无线电能传输技术
• 许老师：1.气动光学成像用于精确制导 2.人工智能方法用于数据处理、预测 3.故障诊断和健康管理
• 王老师：智能控制理论及应用；机器人控制技术
• 李老师：1.自旋电子学 2.铁磁共振、电磁场理论
• 宁老师：1.固体物理 2.半导体照明光源光学设计实践 3.半导体器件封装实践
• 杨老师：1.大型电力变压器内绝缘老化机理及寿命预测 2.局部放电在线监测及模式识别 3.电力设备在线监测及故障诊断 4.绝缘材料的改性技术及新型绝缘材料的研究
• 王老师：1.无线电能传输技术 2.大功率电力电子变换及其控制技术