技术编号:12180252
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路(IC)制造领域,特别是涉及一种提升洗边工艺中晶边良率的方法。背景技术在晶圆的涂胶过程中,离心力的作用会导致光刻胶累积在晶圆的边缘形成残留突起,进而导致后续工艺的污染,降低了晶边良率。为了去除累积于晶圆边缘的光刻胶残留,通常在涂胶工艺后进行洗边(EdgeBeanRemoval,EBR),以去除晶圆边缘的光刻胶残留。晶边良率的提升对于8寸工厂及0.18um以下工艺至关重要,而传统的洗边工艺在后续的接触孔金属研磨工艺过程中,研磨液会通过未填满金属的接触孔腐蚀硅衬底,如图1和图3所示...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。