技术编号：12180330
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在此公开的主题的示范性实施涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，示范性实施涉及具有提高的可靠性的三维(3D)半导体器件及其制造方法。背景技术半导体器件由于其的小尺寸、多功能特性和/或低制造成本而被广泛用于电子工业中。半导体器件可以包括各种微小的电子元件(例如，MOS晶体管、电阻器、电容器和/或互连)。微小的电子元件可以通过互连和/或接触插塞电连接到彼此。然而，对于高度集成和/或高速的半导体器件的需要导致互连之间的距离被减小并且接触插塞的高宽比被增大。因此，已经对能够制造高度集成的半导体器件的工艺...
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