技术编号:12180457
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及鳍片式双极型半导体器件及其制造方法。背景技术随着MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,金属-氧化物-半导体场效应晶体管)器件的尺寸逐渐减小,短沟道效应(ShortChannelEffect,SCE)变成一个关键问题。FINFET(FinField-EffectTransistor,鳍式场效应晶体管)器件对沟道电荷显示出优良的栅极控制能力,并且由于较好的静电控制能力,可以进一步使得CMOS(C...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。