技术编号：12183637
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于碳化硅溶液法装置技术领域，尤其涉及一种碳化硅溶液法中实时监测并调整固液界面高度的装置。背景技术碳化硅（SiC）比硅（Si）具有更大的能带隙，SiC单晶具有优异的物理性质，相当高的热稳定性和化学稳定性，抗辐射线强，机械强度优异，比Si具有更高的击穿电压和热导率等。作为新一代的半导体材料，研究人员对高品质单晶SiC的期望值在不断提升。关于SiC晶体在内的所有高质量的半导体材料来说，有两个基本要求：其一，晶体含有尽可能少的缺陷；其二，晶体中存在的杂质浓度要尽可能的低。目前，已知的SiC单...
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