一种碳化硅溶液法中实时监测并调整固液界面高度的装置的制作方法技术资料下载

技术编号:12183637

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本实用新型属于碳化硅溶液法装置技术领域,尤其涉及一种碳化硅溶液法中实时监测并调整固液界面高度的装置。背景技术碳化硅(SiC)比硅(Si)具有更大的能带隙,SiC单晶具有优异的物理性质,相当高的热稳定性和化学稳定性,抗辐射线强,机械强度优异,比Si具有更高的击穿电压和热导率等。作为新一代的半导体材料,研究人员对高品质单晶SiC的期望值在不断提升。关于SiC晶体在内的所有高质量的半导体材料来说,有两个基本要求:其一,晶体含有尽可能少的缺陷;其二,晶体中存在的杂质浓度要尽可能的低。目前,已知的SiC单...
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