技术编号：12201042
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于薄膜材料制备技术领域，尤其属于Bi2Se3薄膜的制备技术领域。背景技术Bi2Se3属于辉碲铋矿化合物，以其优良的热电性能和远红外性能受人瞩目，已作为热电材料广泛应用于半导体制冷工业。最近，人们又发现单晶Bi2Se3是一种拓扑绝缘体材料，从而可能在量子计算机和自旋电子学器件领域大显身手实现近乎无能量耗散传输信号。近年来，随着器件性能要求的不断提高，器件设计正向尺寸微型化、结构新颖化、空间低维化、能量量子化方向发展。因此材料的小型化及低维化是一种趋势。此外，现在的半导体工业主要是基于薄膜工...
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