技术编号：12201099
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例大体上有关于金属膜沉积法，且特别是关于含有第二族金属的膜的沉积法。背景技术在包括半导体处理、扩散阻障涂层、用于磁性读/写头的介电材料及随机存取存储器在内的各种不同工业中，于基板表面上沉积薄膜都是一项重要工艺。含有过渡金属的金属氧化物膜用于半导体应用中，可用于包括高介电常数(高K)闸极介电膜、铁电式存储器的活性材料、薄膜式电池阴极(cathode)、硅基发光装置和存储器单元中的材料。许多金氧凝相系统(metal-oxygencondensedphasesystem)采用已知在不同氧化电...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。