技术编号:12230171
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种同时处理含氯硅烷的残液和废气的装置,属于多晶硅行业的资源化利用技术领域。背景技术国内主流多晶硅生产工艺为改良西门子法,在改良西门子法生产多晶硅过程中,在三氯氢硅合成、三氯氢硅的精馏提纯、三氯氢硅还原和冷(热)氢化工序都会不可避免的有氯硅烷残液和废气产生。氯硅烷残液的主要成分:聚氯硅烷、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、HCl、少量的硅粉和金属氯化物。氯硅烷废气的主要成分:SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、HCl、H2、N2。目前国内大部分多晶硅厂氯硅烷残液和废气...
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