技术编号：12234629
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及薄膜制备技术领域，尤其涉及一种远端电浆增强化学气相沉积装置。背景技术化学气相沉积(CVD，ChemicalVaporDeposition)是将源材料(或称反应源、薄膜先前物)以气体形式(或称制程气体)引入反应室中，经由氧化、还原或与基片表面反应之方式进行化学反应，其生成物借内扩散作用而沉积在基片表面上以形成薄膜。电浆已广泛应用于各种领域，如在半导体集成电路制造方面，凡是不同材料薄膜的成长或电路的蚀刻普遍都是利用电浆技术来实现。电浆中的反应物是化学活性较高的离子或自由基，且基片表面受...
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