技术编号:12234811
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。实用新型涉及涉及半导体芯片单晶制备技术领域,尤其适用于一种晶体生长炉所用的观察窗。背景技术磷化铟(InP)是由III族元素铟(In)和V族元素磷(P)化合而成III-V族化合物半导体材料,在半导体材料领域具有非常重要的战略性地位,是目前光电器件和微电子器件不可替代的半导体材料。与锗、硅材料相比,InP具有许多优点:直接跃迁型能带结构,具有高的电光转换效率;电子迁移率高,易于制成半绝缘材料,适合制作高频微波器件和电路;工作温度高;具有强的抗辐射能力;作为太阳能电池材料的转换效率高等。因此,InP等...
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