技术编号:12251451
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种大的正温度系数的氧化硅薄膜及其沉积方法,属于信息电子材料技术领域。背景技术在过去的几十年里,声表面波器件得到了迅速的发展。在通讯、传感等技术领域得到了广泛的应用。随着应用范围的不断扩展,人们对于高温度稳定性的声表面波器件的渴望越来越强烈。氧化硅作为最常用的温度补偿薄膜而被广泛采用。传统的氧化硅薄膜都是采用PECVD沉积方法。但是PECVD采用的装置复杂,使用的原料具有毒性,且维护成本高。而常规的磁控溅射具有成本低、工艺参数方便可调、可连续生产、材料改性方便、无毒无污染等优点。因此用...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。