技术编号：12251506
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺设备技术领域，更具体地，涉及一种可防止堵塞的炉管尾气处理管道。背景技术炉管普遍应用于进行半导体加工中的沉积工艺。其中，低压氮化硅沉积炉管工艺是使用二氯化硅气体与氨气反应，生成需要的氮化硅，同时还将生成副产物氯化氨。在进行低压氮化硅沉积时，炉管工艺腔的温度一般都会超过600℃，因此生成的副产物氯化氨在其中不会发生凝固现象。但炉管尾气处理时使用的通常是不锈钢尾气处理管道，并以在管道外面包裹加热带的方式作为对管道的加热手段，使管道内温度保持在一般150℃以上，由于存在较明显的温差，...
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