技术编号:12251511
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于晶硅太阳能电池器件制造技术领域,尤其涉及一种晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD沉积工艺。背景技术目前,光伏业内多晶硅电池转换效率约为18.3%,单晶硅电池转换效率约为19.5%。理论上,多晶硅电池的转换效率可以达到20.4%,单晶硅电池转换效率可以达到29%。晶硅电池转换效率仍有很大的提升空间。现有的工业上晶硅太阳电池,通常采用丝网印刷的方式制备太阳电池的背面铝背场对硅片的背表面进行钝化。铝背场对硅片背表面的钝化主要是场钝化,钝化的效果较差,硅片的少子寿命较低,这限制了晶硅电池转换效...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。