技术编号:12251977
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种铝表面电沉积制备低吸收率与高半球发射率氧化膜的方法,具体涉及一种铝合金表面制备低比值太阳吸收率/半球发射率复合氧化膜的脉冲超声电沉积制备方法,包括铝合金的阳极氧化与孔内脉冲超声电沉积。背景技术随着空间航天器技术的发展,温度控制已经越来越重要。由于阳光直射一面和另一面极为寒冷的空间,空间航天器在轨道上经历极端温度循环。这将使航天器表面温度变化很大,温度在-200℃到+200℃之间变化,在缺乏大气的情况下,航天器和外部环境之间的热量交换仅限于辐射。特别是航天器外表面辐射与空间的耦合作用...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。