技术编号:12252056
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。:本发明属于直拉法单晶生长装置领域,具体涉及一种通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉。背景技术:直拉法是单晶生长的主要技术之一。以晶体硅为例,它是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料,同时在光伏产业中也有庞大的市场。单晶硅电池转换效率比传统的多晶硅电池效率高出5%,然而单晶硅的生产成本偏高。因此,在保证晶体质量的前提下,提高生产效率,降低能耗,成为降低单晶硅制备成本的突破口。目前,提高生产效率主要有两种方法,提高拉晶速度和增大拉晶尺寸。然而随着提拉...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。