技术编号：12254138
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体器件以及半导体工艺技术领域，具体涉及一种碳化硅静电感应晶闸管。背景技术随着科学技术的迅猛发展，对功率半导体器件的性能提出了越来越高的要求。目前使用的功率器件主要由硅等传统半导体材料制成，由于受材料性能的限制，器件的电学性能已经难以持续的大幅提高；而且用这些材料制成的器件不能在高温强辐射等恶劣环境下长期工作，特别是在新能源、汽车电子、航空航天等领域中，传统的硅功率器件已经逐渐难以胜任。在众多新型半导体材料中，碳化硅(SiC)材料以其良好的物理和电学性能成为制造新一代半导体功率器...
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