技术编号:12262412
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体领域,更确切地说是一种分栅栅极沟槽和沟槽肖特基二极管及其制备方法。背景技术传统沟槽肖特基二极管的最大电场通常位于沟槽底部,如要降低电场、增加反向耐压,通常有两种方法:一是牺牲正向导通电压,选用大电阻率的外延层;二是增加氧化层厚度,减小沟槽间距,降低了外延层的利用率,同样牺牲了正向导通电压。传统沟槽肖特基二极管是利用沟槽结构的横向耗尽,来提升二极管的反向击穿,这样外延层电阻率可以更低,二极管的正向导通电压也就更小。在反向偏置时,传统沟槽肖特基二极管的沟槽底部和侧壁的外延层中,由...
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