技术编号:12274107
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储单元,尤其是涉及一种基于FinFET器件的读写分离存储单元。背景技术随着工艺尺寸进入纳米级,功耗成为集成电路设计者不得不关注的问题。在大部分的数字系统中存储器的功耗占据总电路功耗的比例越来越大。静态随机存取存储器(SRAM,StaticRandomAccessMemory),在存储器中是一个重要的组成部分,因而设计低功耗SRAM具有重要的研究意义。静态随机存取存储器主要由存储阵列及其他外围电路构成,而存储阵列由存储单元构成,存储单元是静态随机存取存储器的核心,存储单元直接决定静...
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