技术编号:12274731
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体领域,更具体地涉及用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻。背景技术半导体制造工艺通常涉及金属(如钨)沉积到特征(例如通孔或沟槽)内以形成触点或互连件。然而,随着器件的缩小,特征变得更小且更难以填充,特别是在高级的逻辑和存储器的应用中。发明内容本发明提供了填充在衬底上的特征的方法。一个方面涉及一种通过以下步骤填充衬底上的特征的方法:(a)在特征内沉积第一数量的金属;以及(b)相对于所述特征的内部区域,通过以下操作定向地蚀刻在所述特征的开口处或附近的所述金属:(i)通过将所述金属暴...
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