技术编号：12274768
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种形成螺丝帽状硅通孔的刻蚀方法。背景技术随着半导体行业的快速发展，硅通孔刻蚀技术越来越重要，尤其在3D封装和MEMS领域，体硅刻蚀是必不可少的关键步骤。目前在硅通孔刻蚀技术领域，通用的是博世工艺和非博世工艺，在MEMS领域中，随着刻蚀角度的精确要求，博世工艺普遍采用。但这种工艺当然也有一定的局限性，一般刻蚀角度较为垂直或者是梯形或者是底部略大于顶部的倒梯形形貌，如图1所示。对于上端开口大，尤其类似于螺丝帽状结构，通过这种技术无法去实现。现有的硅通孔刻蚀技术，不...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。