技术编号:12274769
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,尤其涉及一种减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法。背景技术一般在光刻制造中常规工艺为:预处理→匀胶→前烘→曝光→后烘→显影→显检→坚膜→腐蚀→腐检→去胶→完工检验,但在台面引线孔腐蚀中,由于该层氧化层为p扩氧化层,且表面一般含有微量的玻璃粉,特别在芯片台阶处光刻胶往往与硅片表面粘接不牢,在湿法腐蚀工艺中,易钻蚀,表面发花,产品可靠性降低。在湿法腐蚀工艺中,钻蚀是难以避免的,但过度的钻蚀对产品产生致命的危害,往往减少钻蚀成为光刻业界的一大工艺难题。发明内容本发明的技术目的是针对...
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