技术编号:12274770
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。形成插塞和制造半导体装置的方法、抛光室和半导体装置相关申请的交叉引用于2015年8月6日在韩国知识产权局提交的标题为“形成插塞的方法、利用其制造半导体装置的方法、用于制造半导体装置的抛光室和半导体装置”的韩国专利申请No.10-2015-0111094以引用方式整体并入本文中。技术领域实施例涉及形成插塞的方法、利用其制造半导体装置的方法、用于制造半导体装置的抛光室和半导体装置。背景技术当形成钨接触插塞时,可在晶圆上的绝缘夹层中形成开口,可用钨层填充所述开口,以及可执行CMP工艺以对钨层和绝缘夹层...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。