技术编号:12274826
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散死层的测试方法,属于太阳能电池技术领域。背景技术常规的化石燃料日益消耗殆尽,在所有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前,在所有的太阳电池中,晶体硅太阳电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一,这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量,同时晶体硅太阳电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能,因此,晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。现有的晶体硅太阳电池的制造流程为:表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀减...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。