技术编号:12274839
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及衬底处理装置、衬底处理系统及半导体器件的制造方法。背景技术近年来,半导体器件有高集成化的趋势。随之,图案尺寸显著微型化。这些图案通过硬掩膜、抗蚀膜(resistfilm)的形成工序、光刻(lithography)工序、刻蚀工序等形成。在形成图案时,要求不产生半导体器件的特性不均。作为形成图案的方法,例如存在如专利文献1那样的形成方法。专利文献1:日本特开2013-26399号公报发明内容然而,由于加工上的问题,存在所形成的电路等的宽度产生不均的情况。特别是在微型化的半导体器件中,该不均...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。