技术编号：12274858
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺技术领域，具体涉及一种半导体设备的处理腔室的控氧控压系统。背景技术在半导体晶圆生产中，晶圆热处理工序的目标是生长一种厚度均匀、无缺陷的薄膜，薄膜可以是SiO2、Si3N4多晶硅以及金属等。硅晶圆只要在空气中暴露，就会形成自然氧化膜，这种氧化物是不均匀的，被视为污染物，所以控制处理腔室的低氧含量是至关重要的；处理腔室保持微正压，是防止空气从密封漏点处进入处理腔室，污染晶圆且影响处理腔室中氧含量。如图1所示为传统的低氧微正压控制系统，开始时气动阀5’与气动阀20’打开，向处理腔室...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。