技术编号:12274962
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种连接结构及其制作方法。本发明更特别是有关于一种用于三维存储器元件的连接结构及其制作法。背景技术近来,存储器元件已逐渐朝向具有高储存密度的三维(3D)存储器元件发展,例如是具有多层叠层结构的环绕式栅极垂直通道(Surrounding-GateVertical-Channel,SGVC)立体与非门(3DNAND)存储器元件。此类三维存储器元件可达到更高的储存容量,具有更优异的电子特性,例如是具有良好的数据保存可靠性和操作速度。三维存储器通常包括一多层叠层的结构以及纵向穿过叠层结构的...
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