技术编号:12274965
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件领域,尤指涉及一种可编程熔丝结构的制造方法。背景技术常规的多晶硅熔丝的形成方法,包括:提供一衬底,所述衬底具有隔离结构;在所述衬底表面热氧化一层氧化硅;在所述氧化硅及隔离结构表面沉积多晶硅,对所述多晶硅进行掺杂;刻蚀所述多晶硅形成两头宽中间窄的熔丝结构.。该方法形成的熔丝结构,首先,不利于控制熔断的具体位置,可能会导致在衬底上的熔断,由于过热会影响衬底上其他器件的正常工作;其次,熔丝占用的衬底表面积较大,不利于高密度化的器件集成,且多个平行的熔丝间的电容电感较大,容易互相...
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