技术编号:12275019
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有虚设通道区的垂直存储装置本申请要求于2015年8月7日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0111358号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部内容通过引用整体包含于此。技术领域本发明涉及一种具有虚设通道区的垂直存储装置。背景技术存在对集成密度增大的存储装置的需求。用于提高存储装置的集成的方法是在存储装置中利用垂直型晶体管结构替代平面晶体管结构。发明内容发明构思的各方面提供了高度集成的垂直存储装置,该垂直存储装置可具有改善的击穿电压特性。根据发明构思的一方面,一种半导体装置包括:半导...
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